Coloquio de Física | Semiconductores amorfos: un modelo de fluctuaciones de banda

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Los jueves a las 12:30 p.m. tienen lugar los coloquios de la Sección Física PUCP, dirigidos a profesores y estudiantes de Física y disciplinas afines de todos los niveles (EE.GG.CC., Facultad, maestría y doctorado), tanto de dentro como fuera de la PUCP. En cada sesión, un experto en un tema de Física (o de una disciplina afín) brinda una presentación sobre el tema en el que ha venido trabajando.

Puede encontrar el cronograma de las charlas del semestre 2016-2 y los vídeos de coloquios anteriores en el sitio web de Conferencias de la Sección Física PUCP. Los coloquios se transmiten en vivo, a través de EnVivo PUCP.

El ingreso es libre para miembros de la comunidad PUCP y para visitantes externos; basta con que estos últimos registren previamente sus datos en línea una sola vez para ingresar a todos los coloquios del año 2016.

Para el coloquio del 6 de octubre, el tema será ”Semiconductores amorfos: un modelo de fluctuaciones de banda”, a cargo del Prof. Andrés Guerra, docente e investigador de la Sección Física PUCP.

Resumen

Los semiconductores amorfos han sido objeto de estudio por varias décadas debido a sus potenciales aplicaciones y métodos de deposición relativamente poco costosos. Por ejemplo, las películas delgadas de carburo de silicio amorfo hidrogenado (a-SiC:H) son candidatas para servir de foto-electrodo en dispositivos foto-electroquímicos para la producción de hidrógeno usando luz solar. Sin embargo, el modelamiento de varias de sus propiedades puede ser muy desafiante. Una importante diferencia entre semiconductores amorfos y cristalinos yace en los estados tipo cola (band-tail states), cuya aparición es el resultado del desorden topológico de los átomos en un material. Cómo estos estados se superponen a los estados extendidos de valencia y conducción es un problema aún no resuelto. En esta charla, revisaremos conceptos fundamentales sobre la definición del ancho de banda óptico.

Discutiremos qué significa y cómo se mide, con el fin de introducir un modelo reciente basado en fluctuaciones térmicas de las bandas que nos permita definir y medir el ancho de banda de un material amorfo.

Organizado por

  • Sección Física